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8月18日，记者从成都高新区电子信息产业局获悉，该局招引的产业化项目高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目（以下简称“芯未项目”）首台设备已进场，将正式开启第一期晶圆背面加工产线和封装产线设备搬入工作。

“芯未项目”是成都高新区围绕功率半导体，尤其是IGBT领域打造的强链补链项目。作为“标准地+拿地即开工”项目，芯未项目于2022年8月8日开工建设，在各方努力下，于2023年1月封顶，仅用时5个月。

项目总投资10亿元，占地30亩，将分两期进行建设，一期将建设一条8英寸超薄IGBT（绝缘栅双极型晶体管）特色背面晶圆线，一条高端功率半导体集成封装生产线，形成年产120万只功率半导体模块制造能力，10万套集成组件生产能力，二期扩产建设预计将于2025年启动。

记者了解到，IGBT是一种新型功率半导体器件，与微电子技术中芯片技术（CPU）一样， IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”， 能控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天、消费电子等领域。

据悉，芯未半导体将进一步丰富完善 基于自主创新技术的生产工艺平台，整体技术水平进入行业前列。 同时，发挥设计、晶圆工艺和集成封装产业链协同创新模式，结合芯片设计需求，强化产业链上下游协作，推动超薄IGBT特色背面晶圆工艺和高端集成封装技术的量产应用与产业化推广。此外，还将进一步促进IGBT产品全产业链的研发，通过技术创新建立可持续的产业发展模式，并为国内IGBT产业技术升级提供整套先进解决方案，推动特色功率半导体产业链和价值链的发展，助力成都电子信息产业建圈强链。

“在国家出台系列政策支持半导体产业发展的大背景下，以IGBT为代表的功率半导体行业市场迎来了广阔的发展前景。成都是芯片设计、研发和人才高地，但在功率半导体生产制造和工艺平台支撑方面尚处于短板状态。芯未项目建成投用后将起到强链补链的作用。”成都高投芯未半导体有限公司相关负责人介绍，项目建成投产后 预计有望实现年营收9亿元 ，可提供从IGBT芯片背面加工-模块封测代工-集成组件的一条龙代工服务，填补成都在功率半导体生产和工艺平台支撑方面的空白，为包括功率半导体设计企业、制造企业、终端应用企业等提供IGBT特色代工服务，实现产业链上下游协同创新和优势互补，助力成都高新区打造功率半导体价值高地，加快构建竞争优势突出的现代产业体系。

成都日报锦观新闻 记者 吴怡霏 责任编辑 何齐铁 实习编辑 王淇 供图 受访单位

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